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吉時利半導體器件C-V特性測試方案

發布日期:2022-09-20     作者: 安泰測試     瀏覽數:   

交流C-V測試可以揭示材料的氧化層厚度,晶圓工藝的界面陷阱密度,摻雜濃度,摻雜分布以及載流子壽命等,通常使用交流C-V測試方式來評估新工藝,材料,器件以及電路的質量和可靠性等。比如在MOS結構中, C-V測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數。

C-V測試要求測試設備滿足寬頻率范圍的需求,同時連線簡單,系統易于搭建,并具備系統補償功能,以補償系統寄生電容引入的誤差。

進行C-V測量時,通常在電容兩端施加直流偏壓,同時利用一個交流信號進行測量。一般這類測量中使用的交流信號頻率在10KHz到10MHz之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描,掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流,從而計算出不同電壓下的電容值。

吉時利半導體器件C-V特性測試方案(圖1)

在CV特性測試方案中,同時集成了美國吉時利公司源表(SMU)和合作伙伴針對CV測試設計的專用精密LCR分析儀。源表SMU可以輸出正負電壓,電壓輸出分辨率高達500nV。同時配備的多款LCR表和 CT8001 直流偏置夾具,可以覆蓋 100Hz~ 1MHz 頻率和正負200V電壓范圍內的測試范圍。

方案特點:

★包含C-V(電容-電壓),C-T(電容-時間),C-F (電容-頻率)等多項測試測試功能,C-V測試最多同時支持測試四條不同頻率下的曲線

★測試和計算過程由軟件自動執行,能夠顯示數據和曲線,節省時間

★提供外置直流偏壓盒,最高偏壓支持到正負200V,頻率范圍 100Hz - 1MHz。

★支持使用吉時利24XX/26XX系列源表提供偏壓

測試功能:

電壓-電容掃描測試

頻率-電容掃描測試

電容-時間掃描測試

MOS器件二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度等參數的計算

原始數據圖形化顯示和保存

MOS電容的C-V 特性測試方案

系統結構:

系統主要由源表、LCR 表、探針臺和上位機軟件組成。 LCR 表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~ 30MHz。源表 (SMU)負責提供可調直流電壓偏置,通過偏置夾具盒 CT8001加載在待測件上。

LCR 表測試交流阻抗的方式是在 HCUR 端輸出交流電流,在 LCUR 端測試電流,同時在 HPOT 和 LPOT 端測量電壓值。電壓和電流通過鎖相環路同步測量,可以精確地得到兩者之間的幅度和相位信息,繼而可以推算出交流阻抗參數。

吉時利半導體器件C-V特性測試方案(圖2)

吉時利半導體器件C-V特性測試方案(圖3)

典型方案配置:

吉時利半導體器件C-V特性測試方案(圖4)

吉時利半導體器件C-V特性測試方案(圖5)


系統參數:

下表中參數以 PCA1000 LCR 表和吉時利源表2450組成的 C-V測試系統為例:

吉時利半導體器件C-V特性測試方案(圖6)

安泰測試已為西安多所院校、企業和研究所提供吉時利源表現場演示,并獲得客戶的高度認可,安泰測試將和泰克吉時利廠家一起,為客戶提供更優質的服務和全面的測試方案,為客戶解憂。


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